RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
19.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
39
Autour de -95% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
20
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
3473
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link