RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
AMD R744G2606U1S 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
76
Autour de 41% latence réduite
Raisons de considérer
AMD R744G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
76
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
1809
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link