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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
76
Por volta de 41% menor latência
Razões a considerar
AMD R744G2606U1S 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
76
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
1809
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
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