RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
19.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
39
Около -95% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.2
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
20
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
19.7
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
3473
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link