RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
49
Autour de -63% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3189
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link