RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
49
Autour de -9% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
45
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3177
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link