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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
49
Autour de -75% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3925
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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