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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
49
Autour de -75% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3332
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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