RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
49
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
2,066.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
2576
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link