RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
49
Autour de -29% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
2536
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link