RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
49
Autour de -113% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
2373
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link