RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
49
Autour de -145% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
20
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3120
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link