RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
49
Autour de -145% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
20
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3726
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link