RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
49
Autour de -172% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
18
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3575
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link