RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
49
Autour de -69% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3557
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link