RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
49
Autour de -75% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3673
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link