RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
49
Autour de -133% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
21
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3211
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link