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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
49
Autour de -40% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
2,066.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
2200
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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