RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
49
Autour de -40% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
2,066.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
2200
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link