RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
74
Autour de 34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
2,066.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
74
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
1925
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link