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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
49
Autour de -172% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
18
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3564
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
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