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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
49
Autour de -113% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
2,066.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
2532
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
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Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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