RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparez
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Note globale
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
72
Autour de -125% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
3.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
32
Vitesse de lecture, GB/s
5.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
3.9
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1136
2641
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link