RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Porównaj
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
72
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
5.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
3.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
32
Prędkość odczytu, GB/s
5.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
3.9
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1136
2641
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link