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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
25.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
62
Autour de -148% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.5
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
25.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
19.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
4167
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
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