RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
25.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
62
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
4167
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link