RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
62
Autour de -170% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.7
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2339
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 99U5458-005.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link