RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
40
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
40
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2495
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link