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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
40
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
40
读取速度,GB/s
11.7
13.4
写入速度,GB/s
7.2
10.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2495
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
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