Comparaison de la RAM Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Note globale

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

41 62

Autour de -51% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

7.8 3

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

6.1 1,843.6

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 6400

Autour de 2.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

542 1512

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns