RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
62
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.8
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.1
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
41
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
7.8
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
1512
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link