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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
62
Autour de -210% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
20
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3395
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
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Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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