Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 19.4
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    20 left arrow 62
    Около -210% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    15.0 left arrow 1,843.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 6400
    Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    62 left arrow 20
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,556.6 left arrow 19.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,843.6 left arrow 15.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    542 left arrow 3395
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения