RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
62
Около -210% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3395
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link