Comparaison de la RAM Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Note globale

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 62

Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

15.1 1,843.6

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 6400

Autour de 3.33 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

542 3711

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns