RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
62
Autour de -244% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
18
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3814
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link