Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Note globale
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Note globale
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Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 14.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    39 left arrow 62
    Autour de -59% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    10.8 left arrow 1,843.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 6400
    Autour de 3.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    62 left arrow 39
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,556.6 left arrow 14.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,843.6 left arrow 10.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    542 left arrow 2159
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons