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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Comparez
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
16000
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
37
Autour de -28% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR5
Latence dans PassMark, ns
37
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.6
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
16000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC5-16000, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2808
3521
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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