RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Porównaj
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
16000
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR5
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.6
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
16000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC5-16000, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2808
3521
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link