RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
3379
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link