RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
40
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
16
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
40
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2965
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link