RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
30
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
17
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3550
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link