RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
28
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
17
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3550
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link