RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
28
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
17
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
20.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3550
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link