RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link