RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
34
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
5.8
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2658
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link