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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
34
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
31
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2658
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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