RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de 13% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
3652
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link