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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
16.7
17.2
写入速度,GB/s
11.8
15.7
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3652
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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