Comparaison de la RAM Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Note globale

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 35

Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.7 15

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 17000

Autour de 1.25% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.0 11.8

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2756 2654

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns