Porównanie pamięci RAM Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Wynik ogólny

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 35

Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

16.7 15

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 17000

Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2756 2654

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns