Comparaison de la RAM Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Note globale

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 71

Autour de 62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.7 15.6

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.8 6.4

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Liste complète des spécifications techniques

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2756 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns